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IPB120N06S4-H1

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB Infineon Technologies
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IPB120N06S4-H1参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
包装数量:1000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.1 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):270nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):21900pF @ 25V
功率 - 最大值:250W
安装类型:表面贴装

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